硅光电二极管应用电路

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非晶硅光电二极管光谱的峰值

构成成分不同 非晶硒平板探测器主要由非晶硒层TFT构成。非晶硅平板探测器由碘化铯等闪烁晶体涂层与薄膜晶体管或电荷耦合器件或互补型金属氧化物半导体构成。

因为铯具有高原子序数，它是X线接收器的最佳选择材料，所以这种金属对于输入的X线非常适用。产生每个光子需要20~25电子伏。搀入铯CsI激发出550nm的光，正是非晶硅光谱灵敏度的峰值。

光电器件的光谱带宽与材料有关，硅光电二极管为0.4~1μm， 峰值出现在0.9um，锗光电二极管的带宽为0.6~8μm，峰值出现在5μm。红外热释电元件对波长为几个μm的红外辐射也非常敏感。

峰值，在哪个波长，强度达到了峰值。半高宽，即达到峰值一半高度，所对应的两个波长中间的宽度。

把掺铊的碘化铯闪烁发光晶体层覆盖在光电二极管矩阵上，每个光电管就是一个像素，由薄膜非晶态氢化硅制成。

物理!!!

1、物理是研究物质之间关系的学问。因为存在中的物体都是相互影响的，力呀，热交换呀，电磁感应呀，大家都是在彼此影响下才存在的，物理学呢，则是探究这种这种彼此关系的学问。

2、其实物理蛮简单的，只要我们讲求一定的方法，物理是不难学好的。高中物理是各学科中成绩分化最严重的，有许多同学在高中继续沿用初中物理的学习方法，结果成绩却很不理想。

3、《时间简史》是英国物理学家斯蒂芬·霍金创作的科学著作，首次出版于1988年。

4、由于酒精的密度小于水的密度，所以酒精的液面一定高于水。接下来我向你介绍一种极端解题法，这在竞赛当中很实用，一些物理题用这种方法很容易解出来。

5、电池的电阻与外电路电阻一起串联，这加起来的总体，消耗了整个电池的电动势。就是说：E=I(R+r)E就是电动势，I是电路电流，R是外电路电阻，r是电池电阻。

6、二极管的管压降：硅二极管（不发光类型）正向管压降0.7V，发光二极管正向管压降为7V。二极管的工作原理 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。

热释电探测器和硅光电二极管的区别

1、不同点：光电二极管一般是对某些波长的可见光比较敏感；热释电探头一般是对于红外线的某些波长比较敏感，最常见的是人类释放的红外线也就是10um波长左右的。可见两者敏感对象是不一样的。

2、(5) 热释电探测器：有些晶体，如硫酸三甘酞、铌酸锶钡等，当受到红外辐射照射温度升高时，引起自发极化强度变化，结果在垂直于自发极化方向的晶体两个外表面之间产生微小电压，由此能测量红外辐射的功率。

3、热释电探测器的构造是把敏感元件切成薄片，在研磨成5-50μm 的极薄片后，把元件的两个表面做成电极，类似于电容器的构造。为了保证晶体对红外线的吸收，有时也用黑化以的晶体或在透明电极表面涂上黑色膜。

4、热释电探测元是热释电传感器的核心元件，它是在热释电晶体的两面镀上金属电极后，加电极化制成，相当于一个以热释电晶体为电介质的平板电容器。

常规的硅基光电二极管紫外响应较低,原因是什么

1、硅材料对紫外光的响应较低，这是由于紫外光在硅材料中的透射深度极浅(波长在370nm以下，透射深度大于20nm)。载流子复合效应导致光响应随入射光波长的减小而迅速下降。

2、与输出类型无关，光电二极管的偏置和尺寸是决定传感器转换速度的主要因素：光电二极管越大，电容越大，对光强的响应就越慢。因此，反向偏压被用来增加转换速率。

3、一般来说，当光电二极管的负载电阻较大，也就是电流较小时，其响应时间会较长，因为电荷载体的移动速度较慢，需要更长的时间来达到稳定。

4、光电二极管的频率特性响应主要由3个因素决定： a.光生载流子在耗尽层附近的扩散时间； b.光生载流子在耗尽层内的漂移时间； c.负载电阻与并联电容所决定的电路时间常数。特性：优点是暗电流小，一般情况下，响应速度较低。

光电倍增管和硅光二极管两种,这二者有什么优缺点

光电倍增管灵敏度极高，信噪比也很好，对于紫外可见区的弱光信号检测很有优势，缺点是线性稍差；硅光电二极管灵敏度低，信噪比差些，主要用于可见和近红外区强光信号检测，优点是线性度比光电倍增管好。

硅光电池(硅光二极管)是一个大面积的光电二极管，它被设计用于把射到它表面的光转化为电能，因此，可用在光电探测器和光通信等领域。

简单来说，光电二极管不能放大信号，光电倍增管能放大信号，因此一般用作微弱光的检测。首先原理是不同的。

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