光电流伏安特性曲线（光电流伏安特性曲线的特征）

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光电流特性曲线产生误差的原因

伏安特性曲线误差的原因有电流表，导线会分担一点电压，而电压表也会有少许电流通过。在使用时光敏电阻受耗散功率的限制，其两端的电压不能超过最高工作电压，虚线为允许功耗曲线，由它可以确定光敏电阻的正常工作电压。

由爱因斯坦光电效应方程 可见：光电子的初动能与入射光频率ν呈线性关系，而与入射光的强度无关。

在用光电效应测定普朗克常量的实验中的误差来源主要来自单色光不够严格以及阴极光电流的遏止电势差的确定，而影响阴极光电流遏止电势差确定的主要因素有光电管的阳极光电流和光电流的暗电流。

实验误差主要有以下几点：单色光不够严格以及阴极光电流的遏止电势差的确定。光电管的阳极光电流和光电流的暗电流因素。

分析利用光电效应实验仪，采用零电流法测量不同频率入射光对应的截止电压，并通过对测量结果进行线性拟合得到普朗克常数。从实验仪器自身、实验操作步骤及数据处理方法等三个方面分析了产生误差的原因。

有以下几点原因：由于硅光电池对于光照非常敏感，自己和其他同学的手电筒的照射会造成实验误差。读数时，要注意调整光强计的量程，以便获得更精确的实验数据。

光敏电阻的主要参数有哪些

1、灵敏度是指光敏电阻的暗电阻与亮电阻的相对变化。它主要表示了光敏电阻对照射光的敏感度，是光敏电阻的主要参数之一。最高工作电压 最高工作电压是指光敏电阻在额定功率下工作时所能承受的最高电压。

2、）亮电阻（kΩ）：指光敏电阻器受到光照射时的电阻值。2）暗电阻(MΩ)：指光敏电阻器在无光照射（黑暗环境）时的电阻值。

3、光敏电阻的主要参数：(1)光电流、亮电阻。光敏电阻器在一定的外加电压下，当有光照射时，流过的电流称为光电流，外加电压与光电流之比称为亮电阻，常用“100LX”表示。(2)暗电流、暗电阻。

4、灵敏度和半导体材料、以及入射光的波长有关。温度影响不同 光敏电阻受温度影响较大，响应速度不快，在ms到s之间，延迟时间受入射光的光照度影响，光电二极管无此缺点，光电二极管灵敏度比光敏电阻高。

光电管的伏安特性曲线如何测定?

用光电效应方法测量普朗克常量的关键在于获得单色光、测得光电管的伏安特性曲线和确定遏止电位差值。光电效应实验及其光量子理论的解释在量子理论的确立与发展上，在解释光的波粒二象性等方面都具有划时代的深远意义。

测量电流和电压：通过改变二极管的正向和反向电压，并测量对应的电流值和电压值。可以通过调节直流电源实现不同电压下的测量。绘制伏安特性曲线：将测量得到的电流和电压值进行记录，并绘制出伏安特性曲线图。

光电效应法测普朗克常量二\测定光电管的伏安特性曲线验证光电管饱和电流与入射光强（阴极表面照度）的关系详细实验目的：了解光电效应的基本规律，并用光电效应方法测量普朗克常量和测定光电管的光电特性曲线。

光电管伏安特性曲线各段形成的原因

光电管伏安特性曲线各段形成的原因：饱和区：在光照强度较大的情况下，光电子的发射量增加，但是光电子在电场作用下的加速度并不会随之增加，因为电场强度已经达到了饱和值，此时光电流基本保持不变，因此出现了饱和区。

这个点的确切含义是物理量发生突变的电压值，这个曲线不同的地方如下：根据今日头条资料显示，实际曲线可能比理想曲线的斜率小或大，这反映了实际管子的输出信号与输入电压之间的关系可能受到非线性因素的影响。

由于上述两个原因的影响，实测的光电流实际上是阴极光电子发射形成的光电流、阳极光电子发射形成的反向电流和光电管暗电流的代数和。

正常，原因是光电管的频率响应不平坦，或者第二条曲线对应滤色片的通光率较低，或者光源汞灯的该谱线能量较弱。还有测量仪器的精确度可能有点问题。等等。最大的可能是滤色片的通光率较低，其次是仪器有点小问题。

二极管伏安特性曲线加在PN结两端的电压和流过二极管的电流之间的关系曲线称为伏安特性曲线。如图所示：正向特性：u0的部分称为正向特性。反向特性：u0的部分称为反向特性。

那是因为光源的各谱线的强度不同，为了调整测量效果，有的滤色片还加了白光片衰减。还有是因为光电二极管的光谱响应的灵敏度也会不同。所以导致谱线交叉。尽管伏安特性有这种现象，但是截至电压还是有规律的。

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