光电探测器发展现状,光电探测器发展现状论文

各位朋友，大家好！小编整理了有关光电探测器发展现状的解答，顺便拓展几个相关知识点，希望能解决你的问题，我们现在开始阅读吧！

吉林大学:实现Si探测器紫外波段外量子效率超70%

1、Si光电探测器（PDs）作为器件最常用的基础组分，以其宽频带光谱响应、超高响应率、以及低成本制造工艺等特点而被广泛应用于光电器件中。

2、Si的禁带宽度是12 eV，光电响应的截止波长在1100nm，对可见光波段有响应。

3、⑶光发射-Schottky势垒探测器：金属和半导体接触，形成Schottky势垒，红外光子透过Si层被PtSi吸收，使电子获得能量跃迁至费米能级，留下空穴越过势垒进入Si衬底，PtSi层的电子被收集，完成红外探测。

为什么二维材料在光电探测器中有潜在的用前景?

1、实现载流子倍增的碰撞电离是设计具有高检测效率的二维光电探测器的有前途的策略。然而，在二维光电探测器中通过碰撞电离产生的雪崩效应尚未得到广泛研究。

2、“二维材料的特殊性质赋予了它们广泛的应用前景。首先在物理属性上， 二维材料只有一个原子层厚度，这就使得该类材料具有超高的透明度以及良好的柔韧性。 ”张广宇介绍，未来，二维材料一个重要的应用方向就是柔性透明电子器件。

3、过渡金属碳化物在可见光范围内有带隙，在单层有很强的发光能力，所以适合于光电器件。在一些二维氧化物中也可以发现超导现象 异质结 异质结是由两种不同的二维材料在水平或垂直方向（通常是垂直方向）堆叠在一起形成的结构。

4、二维材料以只有一层原子而得名。与硅相比，石墨烯具有更好的载流子迁移率以及直接带隙，使得电子传输得更快，并且电气和光学特性更好。

5、在相变前后位移电流的方向会发生反转。这样一个光电流方向的骤变可以用来表征拓扑相变，在光力学、光电子学中也有潜在应用。该研究有助于加深对拓扑材料光电性质的理解，并且为未来寻找更多具有优秀光电性质的材料提供了理论参考。

6、该团队的创造被称为异质纳米管。东京大学的团队研究人员最近在异种纳米管上制造了电极，并表明它可以作为一个微小的二极管工作，其尺寸具有高性能。二极管常用于光电子学领域，尤其是光电探测器、太阳能电池、发光器件等的核心。

传感器的发展历史

由70年代开始发展起来，这种传感器由半导体、电介质、磁性材料等固体元件构成，是利用材料某些特性制成的。例如：利用热电效应、霍尔效应、光敏效应，分别制成热电偶传感器、霍尔传感器、光敏传感器等。

世纪70年代中期，跟着新工艺、新材料、新技术的出现，尤其是电子技术的迅猛展开出现体积细巧、规划简略的位移式压力传感器。

从17世纪初伽利略发明温度计开始，人们开始利用温度进行测量。真正把温度变成电信号的传感器是1821年由德国物理学家赛贝发明的，这就是后来的热电偶传感器。五十年以后，另一位德国人西门子发明了铂电阻温度计。

年代，防抱死制动装置和气囊提高了汽车安全性。

这种机械式湿度检测仪曾在测湿历史上发挥重大作用。但是随着电子技术的发展， 人们开始对电子湿度传感器进行研究。1939年， 顿蒙利用材料的电气特性研制出世界上第一个湿度传感器顿蒙湿度传感器是利用电解质例如制成的。

小伙伴们，上文介绍光电探测器发展现状的内容，你了解清楚吗？希望对你有所帮助，任何问题可以给我留言，让我们下期再见吧。