硅光电池光照度特性（硅光电池的主要特性）
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大学物理实验问题
实验过程中，环境温度影响散热速率的快慢。环境温度越低，散热越快。反之则越慢。 为了测出在T2时候温度变化速率。测量数据越多，则误差越小。 误差来源于测量的误差和计算的误差。
（1）2000 Ω/V 表示电压表每伏特的内阻，使用 15 V 的量程时，其内阻是 2000*15 = 30000 Ω.（2）0 表示电表的级别。
因为从测量角度看，不确定的只能是末位，因为只能估读1位，写为（280±8）m。L=(8±0.8)×10^4mm误差用一位有效位数表示。
硅光电池光照特性的测试中最大光强是什么
通常来说，我们首先最关心的是手电的亮度，那么亮度高低是通过手电的光通量判断的，一般情况下光通量越大，光源的发光能力也就越强。
光的本性：从光的本性来讲，把光看成电磁波场，光场中某点的光强指的是通过该点的平均能流密度。球面度是一个立体角，其定点位于球心，而他在球面上所截取的面积等于以球的半径为边长的正方形面积。
硅片接受的光谱是320-1100nm ，峰值波长是850 或者是940 ，硅片掺杂工艺不同。材料不同，峰值不同哦。还有750的。
硅光电池的光照特性曲线表示的意义
1、由于光照强度的变化，硅光电池中的电荷载流子数量会发生变化，从而导致输出电流的变化，在低光照强度下，硅光电池表现出指数增长的行为，而在高光照强度下，其输出电流会饱和。
2、硅光电池的光照特性如图所示。从图中可知，硅光电池负载为零时，短路电流在相当大的范围由与光照度成线性关系；而开路电压与光照度的关系，显非线性。因此，由实验知，负载电阻愈小，光电流与照度之间线性关系愈好。
3、硅光电池是一种直接把光能转换成电能的半导体器件。
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