硅光电倍增管外围电路,光电倍增管高压电路

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光电倍增管的输出电路有哪些?

闪烁计数器工作时，由光电倍增管输出的电信号，可以作为电压脉冲或者作为电流脉冲两种方式传递给后级测量电路。

（2）负高压电源：光电倍增管的光阴极接负高压，阳极接地。阳极输出端不需要接高压电容，接一般电容即可。可用直流法测量阳极输出电流。在时间测量中，阳极输出信号可直接与同轴电缆连接。一般情况下，阳极分布参数也比较小。

光电阴极由锑艳材料制成倍增极是在镍或铜的村底上涂上锑绝材料而形成的，倍增极数为10~30级，阳极所收集电子在外电路形成电流输出。光电倍增管在各个倍增极和阳极均加上电压，阴极K电位最低，倍增极D1，D2的D。

（1）光通过入射窗到达阴极面。（2）在光阴极表面发生光电效应，光子激励电子逸出。（3）逸出的电子通过聚焦电极，进入倍增系统。（4）通过控制倍增级的加载电压，使电子不断倍增。

）增益可控制的分压器电路光电倍增管输出控制，通常以改变所加的电压来实现。

光电倍增管的分压器设计有哪些?

线性电流的大小与光电倍增管的结构类型、工作电压、分压器设计等有关。

光电倍增管是闪烁计数器的主要探测元件之一。闪烁体输出微弱的光线，经过光导到达光电倍增管的光阴极，光电倍增管将成比例地加以放大，并转换成电信号脉冲输出，被后面的电路所记录。

而这个分压器的两端在内部没有与其它电路或公共端相连，而是直接由⑥、④脚引出，通常将之称为悬浮式，这样使得应用电路的设计更加灵活和方便。此集成电路内部还包含一个悬浮式2V的标准电压源，直接由⑦、⑧脚引出。

硅光电倍增管的介绍

在硅光电倍增管的动态范围内，它输出电流的大小就和发生雪崩的微元数成正比。

硅光电倍增管（MPPC；Si-PM）内部结构详见图示，MPPC的最基础的单元是由盖革模式下的APD和串联的淬灭电阻构成，这两者合并构成了一个像素（Pixel）。硅光电倍增管就是有大量的这种像素在二维方向上排列组成的。

光电倍增管由入射窗、光电阴极、电子光学输入系统、倍增系统、阳极等部分组成。它的工作原理是建立在光电效应、二次电子发射和电子光学的理论基础上。

光电倍增管是一种真空光电器件(真空管)它具有光电转换并具有放大作用的器件。

虽然采用符合计数法，可以去掉因高能射线(建筑物及大气中的天然放射性)产生暗脉冲计数，但光电倍增管的本身平板及玻璃(硼硅玻璃)、陶瓷中却或多或少含有放射性40K，这是本底计数的来源。

硅光电倍增管 (SiPM) 传感器的型号是分很多种的，安森美半导体比较常见的型号有C系列、J系列、R系列等，其中RB系列SiPM传感器是R系列的最新版本，与之前的RA系列SiPM传感器相比，可提供更高的光子探测效率和更低的串扰。

硅光电倍增管的原理

它的工作原理是建立在光电效应、二次电子发射和电子光学的理论基础上。

当硅光电倍增管（MPPC；Si-PM）中的一个像素接收到一个入射光子时，就会输出一个幅度一定的脉冲，多个像素如果都接收到入射的光子，那么每一个像素都会输出一个脉冲，这几个脉冲最终会叠加在一起，由一个公共输出端输出。

光电倍增管是一种真空光电器件(真空管)它具有光电转换并具有放大作用的器件。

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