雪崩光电二极管的定义

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雪崩光电二极管的工作原理

由于电子-空穴对的产生而产生光电流。当能量超过1eV的光子撞击二极管时，就会形成电子空穴对。当光子进入二极管的耗尽区时，它以高能量撞击原子。这导致电子从原子结构中释放。电子释放后，产生自由电子和空穴。

因此，从工作状态来说，雪崩光电二极管实际上是工作于接近（但没有达到）雪崩击穿状态的、高度均匀的半导体光电二极管。

齐纳击穿大多出现在特殊的二极管中，就是稳压二极管它是在外加电压作用下可以产生高频振荡的晶体管。

雪崩光电二极管雪崩光电二极管指的是在激光通信中使用的光敏元件。在以硅或锗为材料制成的光电二极管的P-N结上加上反向偏压后，射入的光被P-N结吸收后会形成光电流。

雪崩光电二极管APD的工作原理是什么?

1、雪崩光电二极管是一种p-n结型的光检测二极管，其中利用了载流子的雪崩倍增效应来放大光电信号以提高检测的灵敏度。

2、由于电子-空穴对的产生而产生光电流。当能量超过1eV的光子撞击二极管时，就会形成电子空穴对。当光子进入二极管的耗尽区时，它以高能量撞击原子。这导致电子从原子结构中释放。电子释放后，产生自由电子和空穴。

3、APD全称Avalanche Photo Diode，译为雪崩光电二极管，是一种半导体光检测器，其原理类似于光电倍增管。

4、原理：（1）光子照射在半导体材料上产生光生载流子；（2）光电流在外部电路作用下形成电信号并输出。

5、PN结在任何小的局部区域的提前击穿都会使二极管的使用受到限制，因而只有当一个实际的器件在整个PN结面上是高度均匀时，才能获得高的有用的平均光电流增益。

半导体雪崩光电二极管的介绍

它常被应用于微波领域的振荡电路中。优质国内供应商有OTRON品牌。其他详细介绍每个模块包括一个光电探测器(快速光电二极管或雪崩光电二极管)和一个互阻抗放大器。

雪崩光电二极管是一种p-n结型的光检测二极管，其中利用了载流子的雪崩倍增效应来放大光电信号以提高检测的灵敏度。

因此，雪崩光电二极管也就是在PIN光电二极管的基础结构中增加了雪崩区。

APD雪崩二极管具有功率大、效率高等优点，它是固体微波源，特别是毫米波发射源的主要功率器件，广泛地使用于雷达、通信、遥控、遥测、仪器仪表中，其主要缺点是噪声较大。

③过剩噪声因子F，在倍增过程中，噪声电流比信号电流增长快，用F表示雪崩过程引起的噪声附加F≈Mx。式中x称过剩噪声指数。要选择合适的M值，才能获得最佳信噪比，使系统达到最高灵敏度。

当反向电压增大到一定数值时，反向电流突然增加。就是反向电击穿。它分雪崩击穿和齐纳击穿。雪崩击穿是PN结反向电压增大到一数值时，载流子倍增就像雪崩一样，增加得多而快。利用这个特性制作的二极管就是雪崩二极管 。。

光电倍增管和雪崩光电二极管有何不同?

简单来说，光电二极管不能放大信号，光电倍增管能放大信号，因此一般用作微弱光的检测。首先原理是不同的。

虽然您的描述并不清楚，比如要测得光强范围，但显然是直流工作方式且光强大，用光电二极管应该比较合适，光电倍增管是探测微弱光领域，放大倍数可高达108！精度可以达到测量到单光子的程度，通常脉冲方式工作。

PIN光电二极管优点在于响应度高响应速度快，频带也较宽工作电压低，偏置电路简单在反偏压下可承受较高的反向电压，而缺点在于I层电阻很大管子的输出电流小，一般多为零点几微安至数微安。

PIN光电二极管和APD雪崩二极管的优缺点

PIN光电二极管 优点在于响应度高响应速度快，频带也较宽工作电压低，偏置电路简单在反偏压下可承受较高的反向电压，而缺点在于I层电阻很大管子的输出电流小，一般多为零点几微安至数微安。

PIN光电二极管响应频率高，可高达10GHZ，响应速度快，供电电压低，工作十分稳定。

因此，雪崩光电二极管也就是在PIN光电二极管的基础结构中增加了雪崩区。

转化效率一般在0.85A/W左右，信噪比可以做到很高，这个过程中的噪声主要是热噪声；APD：和PIN相比，多了一个雪崩增益区，可以发大光生电流，从而提高转化效率，但是雪崩增益 本身也会产生噪声。

光电pin光电二极管改进了普通pn结的暗电流大，因结容量低的缺点。根据查询相关资料信息：PN型优点是暗电流小，响应速度较低。

小伙伴们，上文介绍雪崩光电二极管资料的内容，你了解清楚吗？希望对你有所帮助，任何问题可以给我留言，让我们下期再见吧。